EO ସଲିଡ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଲେଜର୍ EF20P-QSF

EO (EdgeWave) ଲେଜର EF20P-QSF କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ନୀତି ବିବରଣୀ

EO EF20P-QSF ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ପୁନରାବୃତ୍ତି-ହାର ନାନୋସେକେଣ୍ଡ Q-ସ୍ୱିଚ୍ ହୋଇଥିବା ଲେଜର ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର-ପମ୍ପଡ୍ ସଲିଡ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଲେଜର (DPSS) ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରେ ଏବଂ ଏହା ସଠିକ୍ ମେସିନିଂ, ଲେଜର ମାର୍କିଂ, LIBS (ଲେଜର-ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋସ୍କୋପି) ଏବଂ ବୈଜ୍ଞାନିକ ଗବେଷଣା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।

1. ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ

(୧) ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସ୍ପନ୍ଦନ ଶକ୍ତି

ହାରାହାରି ଶକ୍ତି: 20 ୱାଟ୍ (@1064 nm)।

ଏକକ ପଲ୍ସ ଶକ୍ତି: 1 mJ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ (ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି)।

ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର: 1–200 kHz (ସମାୟୋଜନଯୋଗ୍ୟ), ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ।

(2) ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବିମ୍ ଗୁଣବତ୍ତା

M² < 1.3 (ବିଚ୍ଛେଦ ସୀମା ନିକଟରେ), ସୂକ୍ଷ୍ମ ମାଇକ୍ରୋମଶିନିଂ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।

ଗୌସିଆନ୍ ବିମ୍, ଛୋଟ ଫୋକସ୍ ସ୍ପଟ୍, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତ୍ୱ।

(3) ନମନୀୟ ପଲ୍ସ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ

ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଭାବକୁ ଅନୁକୂଳ କରିବା ପାଇଁ, ଆଡଜଷ୍ଟେବଲ୍ ପଲ୍ସ ପ୍ରସ୍ଥ: 10-50 ns (ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ)।

ବାହ୍ୟ ଟ୍ରିଗର: ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସିଷ୍ଟମ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ, TTL/PWM ମଡ୍ୟୁଲେସନକୁ ସମର୍ଥନ କରେ।

(୪) ଶିଳ୍ପ-ଗ୍ରେଡ୍ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା

ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସଲିଡ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ (ଲ୍ୟାମ୍ପ-ମୁକ୍ତ ପମ୍ପିଂ), ଜୀବନକାଳ 20,000 ଘଣ୍ଟାରୁ ଅଧିକ।

ଏୟାର ଥଣ୍ଡା / ୱାଟର ଥଣ୍ଡା ଇଚ୍ଛାଧୀନ, ବିଭିନ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟ ପରିବେଶ ସହିତ ଖାପ ଖୁଆଇବା।

2. କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି

EF20P-QSF Q-ସ୍ୱିଚ୍ ହୋଇଥିବା DPSS ଲେଜର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଉପରେ ଆଧାରିତ, ଏବଂ ଏହାର ମୂଳ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିମ୍ନଲିଖିତ:

(୧) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପମ୍ପିଂ (LD ପମ୍ପିଂ)

ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍ (LD) ବିରଳ ପୃଥିବୀ ଆୟନ (Nd³⁺) କୁ ମେଟାଷ୍ଟେବଲ୍ ଶକ୍ତି ସ୍ତରକୁ ଉତ୍ତେଜିତ କରିବା ପାଇଁ Nd:YVO₄ କିମ୍ବା Nd:YAG ସ୍ଫଟିକକୁ ପମ୍ପ କରେ।

(2) Q-ସ୍ୱିଚ୍ ହୋଇଥିବା ପଲ୍ସ ଜେନେରେସନ୍

ଆକୋଷ୍ଟୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ Q-ସୁଇଚିଂ (AO Q-ସୁଇଚିଂ) କିମ୍ବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ Q-ସୁଇଚିଂ (EO Q-ସୁଇଚିଂ) ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ରେଜୋନାଣ୍ଟ କେଭିଟି Q ମୂଲ୍ୟକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରେ, ଏବଂ ଶକ୍ତି ସଂଗ୍ରହ କରିବା ପରେ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ନାନୋସେକେଣ୍ଡ ପଲ୍ସ ମୁକ୍ତ କରେ।

(3) ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ରୂପାନ୍ତର (ଇଚ୍ଛାଧୀନ)

ସିଙ୍କ୍ରୋନାସ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେସନ୍ (SHG) ଏବଂ ଟ୍ରିପଲ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେସନ୍ (THG) ଅଣ-ରେଖା ସ୍ଫଟିକ (ଯେପରିକି LBO, KTP) ମାଧ୍ୟମରେ କରାଯାଏ, ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ହେଉଛି 532 nm (ସବୁଜ ଆଲୋକ) କିମ୍ବା 355 nm (ଅଲଟ୍ରାଭାୟୋଲେଟ୍ ଆଲୋକ)।

(୪) ବିମ୍ ଆକୃତି ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍

ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତ୍ୱ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସଠିକତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ବିମ୍ ଏକ୍ସପାଣ୍ଡର୍/ଫୋକସିଂ ଲେନ୍ସ ଦ୍ୱାରା ଆଉଟପୁଟ୍ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରାଯାଏ।

3. ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ

(୧) ସଠିକ୍ ମେସିନିଂ

ଭଙ୍ଗୁର ସାମଗ୍ରୀ (କାଚ, ନୀଳମଣି, ମାଟି ପାତ୍ର) କାଟିବା।

ମାଇକ୍ରୋ ଡ୍ରିଲିଂ (ପିସିବି, ଇନ୍ଜେକ୍ଟର, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ)।

(2) ଲେଜର ଚିହ୍ନିବା

ଉଚ୍ଚ ବିପରୀତ ଧାତୁ ଚିହ୍ନ (ଷ୍ଟେନଲେସ୍ ଷ୍ଟିଲ୍, ଆଲୁମିନିୟମ୍ ମିଶ୍ରଧାତୁ)।

ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍/ସିରାମିକ୍ ଖୋଦନ (କୌଣସି ତାପଜ କ୍ଷତି ନାହିଁ)।

(3) ବୈଜ୍ଞାନିକ ଗବେଷଣା ଏବଂ ପରୀକ୍ଷଣ

LIBS (ମୌଳିକ ବିଶ୍ଳେଷଣ): ଉଚ୍ଚ ପଲ୍ସ ଶକ୍ତି ଉତ୍ତେଜନା ପ୍ଲାଜ୍ମା।

ଲେଜର ରାଡାର (LIDAR): ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚିହ୍ନଟ, ରେଞ୍ଜିଂ।

(୪) ଚିକିତ୍ସା ଏବଂ ସୌନ୍ଦର୍ଯ୍ୟ

ଚର୍ମ ଚିକିତ୍ସା (ରଙ୍ଗଣ ଅପସାରଣ, ଟାଟୁ ଅପସାରଣ)।

ଦାନ୍ତର କଠିନ ଟିସୁ ଚିକିତ୍ସା (ସଠିକ ପରିସମାପ୍ତି)।

୪. ବୈଷୟିକ ପାରାମିଟର (ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ)

ପାରାମିଟରଗୁଡିକ EF20P-QSF (1064 nm) EF20P-QSF (532 nm)

ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ୧୦୬୪ ଏନଏମ ୫୩୨ ଏନଏମ (ଡବଲ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି)

ହାରାହାରି ଶକ୍ତି 20 W 10 W

ଏକକ ପଲ୍ସ ଶକ୍ତି 1 mJ (@20 kHz) 0.5 mJ (@20 kHz)

ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର 1–200 kHz 1–200 kHz

ପଲ୍ସ ପ୍ରସ୍ଥ ୧୦–୫୦ ନିସେକେଣ୍ଡ ୮–୩୦ ନିସେକେଣ୍ଡ

ବିମ୍ ଗୁଣବତ୍ତା (M²) <1.3 <1.5

ଶୀତଳୀକରଣ ପଦ୍ଧତି ବାୟୁ ଶୀତଳୀକରଣ/ପାଣି ଶୀତଳୀକରଣ ବାୟୁ ଶୀତଳୀକରଣ/ପାଣି ଶୀତଳୀକରଣ

5. ପ୍ରତିଯୋଗିତାକାରୀ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ତୁଳନା (EF20P-QSF ବନାମ ଫାଇବର/CO₂ ଲେଜର)

ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ EF20P-QSF (DPSS) ଫାଇବର ଲେଜର CO₂ ଲେଜର

ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ୧୦୬୪/୫୩୨/୩୫୫ nm ୧୦୬୦–୧୦୮୦ nm ୧୦.୬ μm

ପଲ୍ସ ଶକ୍ତି ଉଚ୍ଚ (mJ ସ୍ତର) ନିମ୍ନ (µJ–mJ) ଉଚ୍ଚ (କିନ୍ତୁ ବଡ଼ ତାପଜ ପ୍ରଭାବ ସହିତ)

ବିମ୍ ଗୁଣବତ୍ତା M² <1.3 M² <1.1 M² ~1.2–2

ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ଧାତୁ/ଅଣ-ଧାତୁ ଧାତୁ-ଆଧାରିତ ଧାତୁହୀନ (ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍/ଜୈବିକ)

ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଆବଶ୍ୟକତା କମ୍ (ଲ୍ୟାମ୍ପ ପମ୍ପିଂ ନାହିଁ) ବହୁତ କମ୍ ଗ୍ୟାସ୍/ଲେନ୍ସ ସଜାଡ଼ିବା ଆବଶ୍ୟକ

୬. ସୁବିଧା ସାରାଂଶ

ଉଚ୍ଚ ପଲ୍ସ ଶକ୍ତି: ଉଚ୍ଚ ପ୍ରଭାବ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ (ଡ୍ରିଲିଂ, LIBS)।

ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବିମ୍ ଗୁଣବତ୍ତା: ସଠିକ୍ ମାଇକ୍ରୋମେସିନିଂ (M²<1.3)।

ଶିଳ୍ପ-ଗ୍ରେଡ୍ ସ୍ଥିରତା: ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ କଠିନ-ଅବସ୍ଥା ଡିଜାଇନ୍, ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ, ​​ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ-ମୁକ୍ତ।

ଉପଲବ୍ଧ ଏକାଧିକ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ: 1064 nm/532 nm/355 nm, ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।

ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ ଶିଳ୍ପ: ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ, ବୈଜ୍ଞାନିକ ଗବେଷଣା ପରୀକ୍ଷଣ, ଚିକିତ୍ସା ସୌନ୍ଦର୍ଯ୍ୟ, ଅନ୍ତରୀକ୍ଷ, ଇତ୍ୟାଦି।