EO Nanosecond Solid State Laser EF40

EO (EdgeWave) មុខងារឡាស៊ែរ EF40 និងតួនាទីពន្យល់លម្អិត

EO EF40 គឺជាឡាស៊ែរកម្រិត nanosecond Q-switched solid-state ថាមពលខ្ពស់ ថាមពលខ្ពស់ ដែលប្រើបច្ចេកវិទ្យា semiconductor pumping (DPSS) ហើយសាកសមសម្រាប់ម៉ាស៊ីនកាត់ភាពជាក់លាក់ឧស្សាហកម្ម ការសម្គាល់ឡាស៊ែរ ការខួងខ្នាតតូច និងកម្មវិធីស្រាវជ្រាវវិទ្យាសាស្ត្រ។ គុណសម្បត្តិស្នូលរបស់វាស្ថិតនៅលើថាមពលជីពចរខ្ពស់ គុណភាពធ្នឹមដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការរចនាអាយុកាលវែង ដែលសមស្របជាពិសេសសម្រាប់សេណារីយ៉ូដែលមានតម្រូវការខ្ពស់សម្រាប់ភាពត្រឹមត្រូវ និងស្ថេរភាពនៃម៉ាស៊ីន។

1. មុខងារស្នូល

(1) ថាមពលខ្ពស់ & ថាមពលជីពចរខ្ពស់។

ថាមពលជាមធ្យម: 40 W (@1064 nm) ម៉ូដែលខ្លះអាចឡើងដល់ 60 W ។

ថាមពលជីពចរតែមួយ៖ រហូតដល់ 2 mJ (អាស្រ័យលើអត្រាពាក្យដដែលៗ)។

អត្រាពាក្យដដែលៗ៖ 1-300 kHz (អាចលៃតម្រូវបាន) ដើម្បីបំពេញតម្រូវការដំណើរការផ្សេងៗគ្នា។

(2) គុណភាពធ្នឹមល្អឥតខ្ចោះ

M² < 1.3 (ជិតដល់ដែនកំណត់នៃការបង្វែរ) កន្លែងផ្តោតអារម្មណ៍តូច ថាមពលប្រមូលផ្តុំ។

ធ្នឹម Gaussian, សមរម្យសម្រាប់ micromachining ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។

(3) ការគ្រប់គ្រងជីពចរអាចបត់បែនបាន។

ទទឹងជីពចរដែលអាចលៃតម្រូវបាន៖ 10–50 ns (តម្លៃធម្មតា) បង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការនៃវត្ថុធាតុផ្សេងៗ។

កេះខាងក្រៅ៖ គាំទ្រម៉ូឌុល TTL/PWM ដែលអាចប្រើបានជាមួយប្រព័ន្ធគ្រប់គ្រងស្វ័យប្រវត្តិ។

(4) ភាពជឿជាក់នៃថ្នាក់ឧស្សាហកម្ម

ការរចនារដ្ឋរឹងទាំងអស់ (គ្មានស្នប់ចង្កៀង) អាយុកាល> 20,000 ម៉ោង។

ទឹកត្រជាក់ ឬទឹកត្រជាក់ជាជម្រើស សម្របខ្លួនទៅនឹងបរិយាកាសការងារផ្សេងៗ។

2. តំបន់កម្មវិធីសំខាន់ៗ

(1) ភាពជាក់លាក់នៃម៉ាស៊ីនមីក្រូ

ការកាត់សម្ភារៈផុយ៖ កញ្ចក់ ត្បូងកណ្តៀង សេរ៉ាមិច (ឥទ្ធិពលកម្ដៅតូច)។

ការខួងខ្នាតតូច៖ បន្ទះសៀគ្វី PCB ក្បាលប្រេង គ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច (ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់)។

ការដកយកខ្សែភាពយន្តស្តើងចេញ៖ កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ ការកាត់ស្រទាប់ចំហាយ ITO ។

(2) ឡាស៊ែរសម្គាល់ និងឆ្លាក់

ការសម្គាល់លោហៈ: ដែកអ៊ីណុក, យ៉ាន់ស្ព័រអាលុយមីញ៉ូម, យ៉ាន់ស្ព័រទីតានីញ៉ូម (កម្រិតពណ៌ខ្ពស់) ។

ការឆ្លាក់ផ្លាស្ទិច/សេរ៉ាមិច៖ គ្មានកាបូន, គែមច្បាស់លាស់។

(3) ការស្រាវជ្រាវ និងការធ្វើតេស្តវិទ្យាសាស្ត្រ

LIBS (ទស្សន៍ទ្រនិចបំបែកដោយឡាស៊ែរ): ប្លាស្មាជំរុញជីពចរថាមពលខ្ពស់សម្រាប់ការវិភាគធាតុ។

រ៉ាដាឡាស៊ែរ (LIDAR)៖ ការរកឃើញបរិយាកាស ការចាប់សញ្ញាពីចម្ងាយ។

(4) វេជ្ជសាស្ត្រ និងសម្រស់

ការព្យាបាលស្បែក៖ ការដកសារធាតុពណ៌ ការដកស្នាមសាក់ (ម៉ូដែល 532 nm គឺប្រសើរជាង)។

ការ​ប្រើ​ប្រាស់​ធ្មេញ៖ ការ​កាត់​ជាលិកា​រឹង ការ​ធ្វើ​ឱ្យ​ធ្មេញ​ស។

3. ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស (តម្លៃធម្មតា)

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ EF40 (1064 nm) EF40 (532 nm, ស្រេចចិត្ត)

រលក 1064 nm 532 nm (ប្រេកង់ទ្វេដង)

ថាមពលជាមធ្យម 40 W 20 W

ថាមពលជីពចរ 2 mJ (@20 kHz) 1 mJ (@20 kHz)

អត្រាពាក្យដដែលៗ 1-300 kHz 1-300 kHz

ទទឹងជីពចរ 10–50 ns 8–30 ns

គុណភាពធ្នឹម (M²) <1.3 <1.5

វិធីសាស្ត្រត្រជាក់ ការធ្វើឱ្យត្រជាក់ខ្យល់/ទឹកត្រជាក់ ការធ្វើឱ្យត្រជាក់ខ្យល់/ទឹកត្រជាក់

4. ការប្រៀបធៀបផលិតផលប្រកួតប្រជែង (EF40 ទល់នឹង fiber/CO₂ laser)

លក្ខណៈពិសេស EF40 (DPSS) Fiber laser CO₂ laser

រលក 1064/532 nm 1060–1080 nm 10.6 μm

ថាមពលជីពចរខ្ពស់ (កម្រិត mJ) ទាប (µJ–mJ) ខ្ពស់ (ប៉ុន្តែមានផលប៉ះពាល់កម្ដៅធំ)

គុណភាពធ្នឹម M² <1.3 M² <1.1 M² ~1.2–2

សមា្ភារៈដែលអាចអនុវត្តបាន លោហៈ/មិនមែនលោហធាតុ លោហធាតុមិនមែនលោហធាតុ (ផ្លាស្ទិច/សរីរាង្គ)

តម្រូវការថែទាំទាប (ការបូមដោយគ្មានចង្កៀង) ទាបណាស់ ត្រូវការលៃតម្រូវឧស្ម័ន/កញ្ចក់

5. សង្ខេបអត្ថប្រយោជន៍

ថាមពលជីពចរខ្ពស់៖ ស័ក្តិសមសម្រាប់ដំណើរការដែលមានឥទ្ធិពលខ្ពស់ ដូចជាការខួង និងកាត់។

គុណភាពធ្នឹមល្អ៖ ភាពជាក់លាក់នៃម៉ាស៊ីនមីក្រូ (M²<1.3)។

ស្ថេរភាពថ្នាក់ឧស្សាហកម្ម៖ ការរចនារដ្ឋរឹងមាំ អាយុកាលវែង ការថែទាំដោយឥតគិតថ្លៃ។

រលកពន្លឺច្រើនមាន៖ 1064 nm (អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ) និង 532 nm (ពន្លឺពណ៌បៃតង) អាចរកបានដើម្បីសម្របទៅនឹងវត្ថុធាតុផ្សេងៗ។

ឧស្សាហកម្មដែលអាចអនុវត្តបាន៖

ការផលិតអេឡិចត្រូនិច (PCB, semiconductor)

ភាពជាក់លាក់ម៉ាស៊ីន (កញ្ចក់ សេរ៉ាមិច)

ការពិសោធន៍ស្រាវជ្រាវវិទ្យាសាស្ត្រ (LIBS, LIDAR)

សម្រស់ផ្នែកវេជ្ជសាស្រ្ត (ការព្យាបាលស្បែក, ទន្តព្ទ្យវិទ្យា