SMT Parts
Amplitude High Power Laser Satsuma X

Amplitud Alta Poder Láser Satsuma X rehegua

Amplitude Satsuma X haꞌehína peteĩ láser disco fino ultrarápido ipuꞌakapáva, omoñepyrũva Amplitude de Francia

Estado:Ipyahu ogaeva: ur oimhén:reiba
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Amplitude Satsuma X haꞌehína peteĩ láser disco fino ultrarápido ipuꞌakapáva, omoñepyrũva Amplitude de Francia. Oiporu tecnología revolucionaria amplificador de disco fino ohupyty haguã salida promedio de potencia nivel de kilovatios omantene jave precisión pulso femtosegundo, odefiníva jey límite de potencia procesamiento ultrarápido industrial.

2. Principio de trabajo ruptura rehegua

1. Arquitectura amplificador rebanada fina rehegua

Medio ganancia: Yb:YAG cristal rebanada fina (grueso <200μm) .

Pe relación área superficial/volumen ha'e 100 jey umi láser de varilla tradicional-gui

Oipytyvõ bombeo multipaso (16 extracción energía) .

Umi mba’e porã oguerekóva gestión térmica rehegua:

Gradiente térmico <0,1°C/mm (láser tradicional de varilla >5°C/mm) .

Efecto teórico lente térmica rehegua oñemboja cero rehe

2. Sistema de amplificación heta etapa rehegua

Semilla ypykue: oscilador de fibra (pulso ipekue <300fs) .

Etapa preamplificación rehegua: sistema CPA fibra rehegua (pulso estiramiento 2ns peve) .

Etapa amplificador principal: amplificador multipaso rebanada fina (energía pulso peteĩva >50mJ) .

Compresor: par de rejilla ocomprimi umi pulso femtosegundo jey

3. Tecnología control tiempo real rehegua

Sistema óptico adaptativo rehegua: .

Espejo deformable omohenda distorsión frente de onda rehegua (precisión λ/10) .

Diagnóstico pulso rehegua tiempo real-pe (integración tecnología FROG rehegua) .

Poder jerereko arandu: 1.1.

Oñemohenda automáticamente umi parámetro tren de pulso rehegua según reflectividad material rehegua

Poder fluctuación <±0,8% (8 aravo omba’apo meme) .

III. Umi ventaja omotenondéva industria-pe

1. Equilibrio poder-precisión rehegua

Parámetro Satsuma X HP3 Láser disco tradicional rehegua

Poder promedio 1kW 500W

Energía pulso peteĩva rehegua 50mJ 20mJ

Velocidad de procesamiento lámina de aluminio rehegua 15m/min (0,1mm ipukukue) 8m/min

Zona afectada haku rehegua <5μm <10μm

2. Ñemboguata aplicabilidad industrial rehegua

7×24 operación continuo: 1.1.

Ojeadopta diseño óptico ndorekóiva pegamento (antivibración>5G) .

MTBF umi componente clave rehegua>30.000 aravo

Sistema de mantenimiento iñaranduva: .

Manduꞌa mantenimiento predictivo rehegua (oñemopyendáva algoritmo AI rehe) .

Ñemyengovia modular (componentes ópticos<30 minutos) .

3. Umi ventaja procesamiento material rehegua

Procesamiento metal reflexivo yvate rehegua:

Soldadura de cobre profundidad-ancho relación 20:1 (tecnología convencional <10:1)

Oro lámina corte sin cuentas derretida (velocidad>20m/min) .

Procesamiento material hesakãva rehegua: .

Vidrio modificación interna control de calidad precisión ±0,5μm

Zafiro corte cónico <0,1°

IV. Umi escenario típico aplicación rehegua

1. Batería energía pyahu apo

Poste apysa ñeikytĩ: .

8μm lámina de cobre velocidad de corte 30m/min

Borde-pe ndoguerekóiva rebaba (Ra<0,5μm) .

Soldadura cáscara batería rehegua:

Penetración soldadura aleación de aluminio rehegua 10mm

Porosidad <0,01% rehegua .

2. Aeroespacial rehegua

Turbina cuchilla agujero enfriamiento rehegua:

Microporos aleación temperatura yvate (Φ50μm pypuku ha diámetro relación 50:1) .

Ndaipóri capa refabricado (fatiga rekove ojupi 3 jey) .

Procesamiento material compuesto rehegua: .

CFRP corte no delaminación rehegua (zona afectada haku rehegua <3μm) .

3. Electrónica precisión rehegua

Procesamiento circuito flexible rehegua: .

PI película corte precisión ±2μm

Línea ipekue mínimo 15μm

Envase semiconductor rehegua: .

Eficiencia procesamiento agujero de vidrio (TGV) ojupi 5 jey

V. Ventaja técnica oñembojojávo

Umi mba'e ombojojáva Satsuma X Competidor estadounidense Competidor alemán

Escalabilidad potencia rehegua 1,5kW diseño 800W límite yvategua 1kW límite yvategua

Flexibilidad pulso rehegua 0,1-10ps ajustable Pulso ancho fijo Ajuste limitado

Huella 1,2m2 2m2 1,8m2

Cociente energía jeporu rehegua 1,0 1,3 1,2

VI. Sistema de apoyo servicio rehegua

Laboratorios de aplicación mundial: Francia/EE.UU./Japón/China (Shanghai) .

Paquete proceso desarrollo rehegua: Omeꞌe 100+ biblioteca parámetro procesamiento material rehegua

Diagnóstico mombyry guive: 5G red rehegua ñemyatyrõ tiempo real-pe

Satsuma X osoluciona porã problema "cuello de botella térmico" láser ultrarápido campo de alta potencia integración pypuku rupive tecnología amplificación de película fina ha control inteligente, ha oiko chugui peteî tembiporu transformador industria estratégica ha'eháicha aeroespacial ha energía pyahu. Idiseño modular avei oreserva espacio técnico umi mejora oúvape 1,5kW-pe.

Amplitude Femtosecond Laser Satsuma X

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